半導體工藝——光刻紫外負性光刻膠顯影液：二甲苯。清洗液：乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。顯影中的常見問題：a、顯影不完全（Incomplete Development）。表面還殘留有光刻膠。由顯影液不足造成。b、顯影不夠（Under Development）。顯影的側壁不垂直。由顯影時間不足造成。c、過度顯影（Over Development）?？拷砻娴墓饪棠z被顯影液過度溶解，形成臺階。由顯影時間太長造成。